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【文匯專訊】日本東芝公司和美國ＳａｎＤｉｓｋ公司日前宣佈合作開發出高密度ＮＡＮＤ閃存，並計劃分別於年內開始批量生產相關產品。
兩家公司7日發佈的新聞公報說，它們已利用43納米工藝開發出新型16吉比特ＮＡＮＤ閃存，其密度與利用56納米工藝生產的同等容量ＮＡＮＤ閃存相比要高出一倍，這意味著閃存芯片的面積可顯著縮小，從而能夠降低有關成本。
據悉，兩家公司在開發高密度ＮＡＮＤ閃存生產工藝的過程中，採用了一些新技術並調整了有關外圍電路的設計，從而大幅度縮減了芯片的面積。
東芝公司打算今年3月開始批量生產新型16吉比特ＮＡＮＤ閃存，然後於7月到9月間批量生產32吉比特的產品。ＳａｎＤｉｓｋ公司則計劃於今年第二季度生產和發售這兩種不同容量的新型ＮＡＮＤ閃存。
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