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國產存儲芯片新突破:我國首款64層3D NAND閃存芯片開始量產

2019-09-05

【文匯網訊】(記者 凱雷 實習記者 李劍寧)近日,紫光集團旗下的長江存儲宣佈,其自主研發生產的64層三維閃存芯片開始量產,以滿足固態硬盤嵌入式存儲等主流市場應用的需求,這也是中國首款64層三維閃存,其採用了Xstacking堆棧結構,核心容量提升到了256Gb。今年,長江存儲已正式宣佈啟動64層三維閃存量產。

參加2019中國國際智能產業博覽會的業界有關人士向記者分析,長江儲存發展迅速,但目前表態保守,其雖然未公佈量產規量,業界預計2020年底其可望將產能提升帶月產6萬片晶圓的規模。業界也預測,長江存儲最快明年則會跳過96層直接進入128層三維閃存,實現彎道超車。

據瞭解,長江存儲已推出Xtacking 2.0規劃,升級規劃將充分利用Xtacking架構優勢為客戶帶來更多價值。其中包括:進一步提升NAND吞吐速率、提升系統級存儲的綜合性能、開啟定制化NAND全新商業模式等。據介紹,通過與客戶、行業合作夥伴和行業標準機構的緊密合作,搭載Xtacking 2.0技術的長江存儲第三代產品將被廣泛應用於數據中心,企業級服務器、個人電腦和移動設備等領域,並將開啟高性能、定制化NAND解決方案的全新篇章。

長江存儲相關負責人向記者表示,長江存儲64層三維閃存產品的量產將使中國與世界一線三維閃存企業的技術差距縮短到兩年以內。Xtacking技術的研發成功和64層三維閃存的批量生產標誌著長江存儲已成功走出了一條高端芯片設計製造的創新之路。

芯片技術主管詳細介紹了長江存儲64層三維閃存,它是全球首款基於Xtacking架構設計並實現量產的閃存產品,擁有同代產品中最高的存儲密度。Xtacking可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元,這樣有利於選擇更先進的製造工藝。當兩片晶圓各自完工後,創新的Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統三維閃存架構,Xtacking可帶來更快的傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市週期。

紫光集團聯席總裁刁石京表示,我們做的這顆芯片,採用我們新的工藝技術方法來做的,它的存儲密度更高了,就是在更小的面積上能夠實現更大量的存儲。同時,它的存儲速度也更快了,在使用過程當中感受到數據存進去或者取出來更加快捷、更加方便,這都是我們新型存儲的技術優勢,是和我們百姓的生活,整個生產發展都是息息相關的。

紫光集團聯席總裁刁石京表示長江存儲進入到這個領域之前,國內一直沒有大規模存儲芯片的生產,未來,隨著雲計算、大數據的發展,人類對數據存儲要求是越來越高,3D NAND(三維閃存)存儲芯片是高端芯片的一個重要領域,它的量產也標誌著中國離國際先進水平又大大跨近一步,可以說把我們的產品水平跟國外的先進水平縮短到了一代。

責任編輯:京辰

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