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三星全球首次批量生產20納米級D-RAM


http://news.wenweipo.com   [2011-09-22]    我要評論

從去年5月開工,經歷了1年3個月後方得以投入運行的內存16生產線是擁有將近20平方米規模的高12層的建築,是將主要力量集中於批量生產NAND閃存的世界最大規模的內存生產線。

三星電子表示,今年2月,12層高的建築正式完工,5月淨化車間施工完成,6月進入試運行,8月具備批量生產架構,本月將生產1萬張以上12英吋wi-fi20納米級高速NAND閃存。

三星電子為了配合正在迅猛增長的NAND閃存需求,截止年底將增加12英吋wi-fi生產規模,明年還打算大批量生產10納米級別的大容量高速內存。

隨著擁有最尖端技術的內存16生產線投入使用,三星電子可以更加穩定地向顧客提供多樣的產品,這使得作為半導體領先企業的三星電子更加強化了競爭力。

與此同時三星電子還表示,他們已經在世界上首次開始大批量生產20納米級2Gb D-RAM。



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      責任編輯:Faye Cheung
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