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港12中科院院士參加兩院院士大會

2016-05-30

【文匯網訊】(記者 周琳)全國科技創新大會、兩院院士大會、中國科協第九次全國代表大會30日上午在人民大會堂隆重召開。記者獲悉,共有12名中科院香港院士參會。以下為名單:

勵建書 香港科技大學

現為香港科技大學數學系主任,從事數論與「李群」表示理論的研究。 1994年被邀請在國際數學家大會上作45分鐘邀請報告,成為國際知名數學家。2013年當選中科院院士。

莫毅明 香港大學

香港大學數學系教授,數學研究所所長,其研究範圍包括分析、幾何及復變函數等純數學範疇。2015年12月7日,當選中國科學院院士。

先後在美國獲Sloan獎與美國總統年輕研究人員獎,並在香港獲頒1998/99年度裘槎獎。1988年莫毅明發表論文,創新地結合了Ricci流與代數幾何方法,解決了廣義Frankel猜想。「關於對稱與齊次空間的復幾何」獲2007年國家自然科學獎二等獎。

黃乃正 香港中文大學

黃乃正,祖籍台山,1950年出生於香港。1976年獲英國倫敦大學哲學博士學位,繼而到美國哈佛大學從事博士後研究。1999年當選中科院院士。

1980年始從事高張力分子的合成及若干天然產物的全合成研究。合成多個在有機化學理論中有其重要理論意義而難度極高的分子。其中得到一種穩定的具有環間連接的三苯駢環辛三烯炔。曾被諾貝爾獎獲得者D·J·CIAM所著的化學教科書列為尚未合成的有挑戰性有機分子之一。

麥松威 香港中文大學

出生於香港,原籍廣東鶴山,結構化學家。2001年當選中科院院士。

麥松威長期從事無機合成、晶體結構和晶體工程、超分子化學等方面研究,在國際學報上發表論文900餘篇,並有專著8篇。在推動香港和內地學術交流和為國家培養科技青年人才方面做出很多貢獻。

任詠華 香港大學

原籍廣東鶴山,1963年生於香港,無機化學家,是中國最年輕的女院士。

系統地設計和合成了新的無機發光分子材料和化學傳感器配合物;利用各種橋連配體,設計及合成了多種多核金屬簇體系的發光材料。

唐本忠 香港科技大學

高分子化學家,2009年當選中國科學院院士。

主要從事高分子合成方法論的探索、先進功能材料的開發以及聚集誘導發光(AIE)現象的研究。發明了合成炔類聚合物的新催化體系,開拓了從炔類單體制備線性和超支化高分子的新聚合途徑,制備了一系列具有光、電、磁、熱和生物活性的新功能材料。

支志明 香港大學

香港人,1978年畢業於香港大學化學系,化學家、中科院院士。

1994年獲國家自然科學獎,在國際和國內化學會議上作過多次很有影響的大會報告。從事配合物發光材料的研究,特別在螢光材料研究方面,對金屬-氧,金屬-氮,金屬-胺,Pt(II),光誘導電荷分離、長程電子和能量轉移及其DNA識別機制研究的螢光金屬配合物的分子設計以及d10金屬配合物作為發光材料的藍色發光二極管的組裝等方面取得了重要成果。

劉允怡 香港中文大學

1947年生於香港,原籍廣東南海。2003年當選為中國科學院院士。

劉允怡在國際上首先提出以「肝段為本」的肝切除方法。統一了國際上在肝臟解剖和肝切除手術的規劃名稱。率先應用釔90微粒為晚期肝癌治療,顯著提高了生存率。應用化療、免疫聯合治療使不能切除的肝癌能以手術切除。很早開展活體肝移植手術,是香港和東南亞地區肝移植的創始人之一。

蘇國輝 香港大學

1948年出生於香港,原籍廣東省順德。神經解剖學家。現任香港大學醫學院教授,香港大學神經科學研究中心主任。

從可塑性研究發展到視網膜再生研究,是這領域的先驅者。創建了外周神經視網膜移植模型,首次證明成年鼠視網膜節細胞受損軸突可在外周神經中長距離再生。

近年來,研究各種細胞成分眼內移植或神經生長因子球內注射對視網膜節細胞再生的影響,在6種神經營養因子中,發現只有CNTF(睫狀神經營養因子)能促進視網膜節細胞軸突再生。

張佑啟 香港大學

原籍廣東新會,生於香港。1999年當選為中國科學院院士。

提出矩形及三角形板單元,1965年開展彈性半空間上薄板的研究,提出彈性地基剛度矩陣法與有限元法的結合。1967年創造了有限條法,奠定了半解析有限元法的基礎。1990年及1999年分別獲自然科學二等獎和三等獎。

鄭耀宗 香港大學

香港出生,祖籍廣東中山,中科院院士、微電子學專家。香港大學代常務副校長、教授。

開拓了有限元法在結構力學、特別是板與殼的研究。他是微電子學專家,尤其專長於MOS系統,曾發明摻氯化氫硅氧化技術,以提高MOS電子元件的可靠性及品質。之後,他出任香港大學電子工程系主任,後升任工程學院院長。

葉嘉安 香港大學

1952年生於香港。1974年畢業於香港大學地理及地質系。1999年中科院地學部首位香港院士,2010年當選第三世界科學院院士。

在國際上首先提出了MOS反型層載流子表面粗糙度散射理論,在MOS集成電路進入深亞微米階段後,這一機理已成為決定MOS反型層載流子遷移率的主要因素,這是對MOS器件物理的一大發展。是較早開展氮化硅技術的研究者之一。在深亞微米器件模型研究工作中取得重要成果。

責任編輯:許月華

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